STI5000C晶体管图示仪
STI5000C晶体管图示仪 能够创建用于存储和直观操作的数字曲线,且能够快速而精确的生产数据点,再利用高速的ATE测试步骤生成曲线或以测试点构建曲线,曲线生成速度很快。每个步骤的典型测试时间为6到20MS,生成200个数据点曲线通常只需几秒钟。捕获的曲线数据点可以直接加载到Excel中,以创建曲线跟踪表示。数据增量可按线性或对数步骤编程。STI5000C操作简单,易于使用,先选择曲线,再输入范围并按下启动按钮,全电流范围(不限于20A),选择图......
产品描述
STI5000C晶体管图示仪能够创建用于存储和直观操作的数字曲线,且能够快速而精确的生产数据点,再利用高速的ATE测试步骤生成曲线或以测试点构建曲线,曲线生成速度很快。每个步骤的典型测试时间为6到20MS,生成200个数据点曲线通常只需几秒钟。捕获的曲线数据点可以直接加载到Excel中,以创建曲线跟踪表示。数据增量可按线性或对数步骤编程。STI5000C操作简单,易于使用,先选择曲线,再输入范围并按下启动按钮,全电流范围(不限于20A),选择图形功能的工具,刻度轴,更改日志/线性,查看曲线上的数据点,缩放,打印图形,为新扫描设置光标,保存图形,无跳线,无SMU设置选择,可进行全自动测试,并能创建可选测试以连接到外部测试设备。高分辨率确保像RDSON这样的测试在1 A测试电流下的精度为±0.5毫欧。
STI5000C晶体管图示仪使用说明书
广泛选择可用曲线
可编程数据点增量
增量可以是线性或对数
可编程关闭时间,以尽量减少加热
保存和调用曲线输入程序
保存和调用以前捕获的曲线图像
将曲线数据直接加载到Excel
按顺序运行多达10个曲线程序,数据自动加载到Excel
设定较大电流/电压限制,以防止损坏或发热
存储/召回测试程序
多条连续曲线
多个设备
测试程序中的电流限制
对数曲线,自动将曲线数据加载到Excel
大量曲线选择
在曲线跟踪器上编程数据点既简单又直接。下图中显示了N通道MOSFET的IDON与VDS程序屏幕。测量变量IDON的上限值为顶行条目。当达到上限值时,数据捕获终止,曲线完成。水平轴为VDS,可增量编程。可以编程两种不同的增量大小。这允许用户在曲线中感兴趣的区域编程更精细的数据点。在所示示例中,靠前增量大小为400MV;第二个增量大小为4V,增量大小在VDS为4V时变化。VDS范围从10V到40V编程,VGS数据点可以类似地编程。该曲线通过在每个VGS偏置电压下扫描VDS数据点来运行,并持续到在每个VGS处获得较大ID或报告所有数据点为止。其他选项卡提供用户可选择的功能。可通过单击曲线跟踪器屏幕顶部附近的功能选择选项卡(加载/保存调用和保存程序),扫描类型选择线性或对数轴(如适用),外部继电器设置继电器驱动器以连接外部组件,ADP-401A用于在曲线跟踪器与ADP401A8针或16针可编程扫描仪和其他。控件将完成的曲线和数据点直接加载到Excel,并自动包含图形。数据点也可以用Excel提供的其他格式绘制。可以使用鼠标放大曲线的特定区域,并在完成的曲线上移动光标,以重新设置开始和停止限制,从而在感兴趣的区域中生成更详细的曲线。单击轴会将比例从线性更改为对数。单击曲线将显示曲线上的所有数据点。
STI5000C可使用的标准曲线
STI5000C可以使用任何可用的测试添加其他曲线。这些包括但不限于晶体管、双向晶闸管、可控硅、MOSFET、IGBT、OVP、选通器件、二极管、齐纳、光耦、稳压器、MOV、J-FET、光开关、diac、光逻辑、Quadrac、sidac、STS、SBS和继电器。
MOSFET-N通道:ID与VDS(在VG范围内);ID与VG(在VDS范围内);IS与VSD;RDS与VG(固定ID);RDS与ID(在多个VG中);IDSS与VDS(可选择反向偏置);VGSTH与ID;
MOSFET-P通道:ID与VDS(在VG范围内);ID与VG(在VDS范围内);IS与VSD;RDS与VG(固定ID);RDS与ID(在VG范围内);IDSS与VDS(可选择反向偏置);VGSTH与ID;
晶体管NPN:HFE与IC;BVCE(O、S、R、V)与IC;ICBO与VCBO;VCE(SAT)与IV(在固定IC/IB比率下);VCE(SAT)与IB(IC范围内);VBE(SAT)与IC(在固定VCE下);IC与VCE(在IB范围内,仅曲线跟踪器);IEBO与VEB;ICEO与VCE;
晶体管PNP:HFE与IC;BVCE(O、S、R、V)与IC;BVEBO与IE;ICBO与VCBO;VCE(SAT)与IC(在固定IC/IB比率下);VCE(SAT)与IB(IC范围内);VBE(SAT)与IB(在固定IC/IB比率下);VBE(开启)与IC(在固定VCE下);IC与VCE(在IB范围内,仅曲线跟踪器);IEBO与VEB;ICEO与VCE;
IGBT-N通道:IC与VCE(在VGE范围内);IC与VGE(在VCE范围内);ICES与VCE;IF与VF;VCE与VGE;
IGBT-P通道:IC与VCE(在VGE范围内);IC与VGE(在VCE范围内);ICES与VCE;IF与VF;VCE与VGE;
二极管:IF与VF;IR与VR;
稳压二极管:IF 与VF;IZ与BVZ;
双向晶闸管:IT与VT+(在固定IG和RGK打开时);IT与VT-(在固定IG和RGK打开时);
SCR:IT与VTM(在固定IG和RGK打开时);
SSOVP:IT与VT+(固定IBO时);IT与VT(固定IBO时);
SIDAC:IT与VT+ (固定IBO时);IT与 VT- (固定IBO时);
DIAC:ID与VF+;ID与VF-;
调节器正极:电子负载与VOUT(固定IMAX时);
调节器负极:电子负载与VOUT(固定IMAX时);
JFET-N通道:ID(关闭)与VDS(VG范围内);ID(关闭)与VG(反向偏置,在固定VDS下);ID(开启)与VDS(VG范围内);ID(开启)与VG(反向偏置,在固定VDS下);
JFET-P通道:ID(关闭)与VDS(VG范围内);ID(关闭vs.VG(反向偏置,在固定VDS下);ID(开启)与VDS(VG范围内);ID(开启)与VG(反向偏置,在固定VDS下);
其他曲线:负V与负I(开启状态负电阻装置,需要负载箱);正V与I(开启状态负电阻装置,需要负载箱);V与I象限I和III;
5000C | 曲线跟踪器2NA至50A、20v、1Kv |
5000E | 分立半导体测试仪2NA至50A、20v、1Kv |
5300C | 曲线跟踪器2NA至50A、20v、1Kv(可扩展范围) |
5300HX |
分立半导体测试仪2NA至50A、20v、1Kv(可扩展范围) |
STI5000C曲线跟踪器的测试规范和配件
PARAMETER | V RANGE | I RANGE | MAX RES. | ACCURACY | |
LEAKAGE |
IR,ICBO,ICEO/R/S/X,IDSS/X, IDOFF,IDRM,IRRM |
10V to 999V (2000V)1 |
2NA (20PA)2 to 50MA |
1NA (1PA)2 |
1%+2NA+20PA/V8 (1%+200PA+2PA/V)2,8 |
IEBO, IGSSF,IGSSR,IGSS,IGKO,IR(OPTO) | 10V to 20V (80V)3 | 2NA (20PA)2 to3A | 1NA (1PA)2 |
1%+2NA+20PA/V8 (1%+200PA+2PA/V)2,8 |
|
BREAKDOWN |
BVCEO, BVCES (IGBT) (300μS Pulse above 10mA) |
10V to to450V(900V)1 to700V (1400V)1 to800V (1600V)1 |
100μA to 200MA to100MA to50MA |
1MV | 1%+100MV |
BVDSS,VD,BVCBO, VDRM,VRRM,VBB |
10Vto999V (2000V)1 |
100NAto50MA | 1MV | 1%+100MV | |
BVR, BVZ |
10Vto5.00V to9.999V to50.00V to700V (1400V)1 to999V (2000V)1 BVZ-Soak-50V(100V) 0-50msto99secs |
10μAto49.9A (500A)4 to25A (250A)4to9.9A to100MA to50MA to400mA to80mA |
1MV | 0.4%+2LSB | |
BVEBO,BVGSS,BVGKO |
10Vto20V (80V)3 |
100NAto3A |
1MV | 1%+10MV | |
VCESUS | VCEOSUS,VCERSUS,VCEVSUS | VCE:TO1500V Inductive Kickback,35mH choke | IC:to 4A | 0.5V | 2%+0.5V |
IMPEDANCE |
ZZ (1kHZ) 0.1Ωto 20 KΩ |
0.1Vto200VDC (measure50μV to 300mVrms) |
100μAto 300mADC | 0.001Ω1μV | 1%+1%Range |
GAIN | hFE (1to 99,999) CTR (.01to 99,999) |
VCE:.10Vto5.00V5 to9.99V to49.9V |
IE:10μAto 49.9A (500A)4 derate to 25A (250)4 derate to 9.99A IF, IB:100NA to10A |
.01hFE .0001CTR |
VCE:1%+10MV IC:1%+100NA IF, IB:1%+5NA |
ON STATE |
VCESAT, VBESAT, VBEON VF, VT VDSON, IDON, VGSON VGEON VF (Opto-Diode) |
VCE, VD, VF, VT:.10V to 5.00V to 9.99V VGS, VGE, VBE, VF:.10V to 9.99V |
IE, VT, IF, ID:10μA to 49.9A (500A)4 derateto25A(250A)4 IB, IF, IGT:100NA to 10A (40A)7 |
1MV |
V:1%+10MV IE/IF/ID/ IT:1%+100NA IB IGT:1% + 5NA |
VGSTH, VGETH |
.10V to 49.9V | ID:100μA to 3A | 1MV | 1%+10MV | |
VO (Regulator) |
VO:.10V to 20V (50V)3 VIN:.10V to 49.9V Load:Resistive or Electronic |
IO:1MAto5A | 1MV | 1%+10MV | |
IIN (Regulator) |
VIN:.10V to 20V (80V)3 Load:RGK, 1K,10K,EXT,OPEN, SHORT |
IIN:1MA to 3A | 10NA | 1%+5NA | |
VC | .10V to 49.9V | 10MA to 10A | 1MV | 1%+10MV | |
OFF | VGSOFF | VO:.10V to 20V (80V)3 |
ID:100NA (20PA)2 to 3A VDS:.10V to 50V |
1MV | 1%+10MV |
TRIGGER |
IGT VGT VOPER (Relay) |
VD:5V to 49.9V VGT:.10V to 20V (80V)3 .10V to 50V |
IAK:to 3A IGT:100NA to 3A RL:12,30,100Ω,EXT |
10NA 1MV .10V |
1%+5NA 1%+10MV 1% +.10V |
HOLD |
IH VRELEASE (Relay) |
VD:5V to 49.9V .10V to 50V |
IH:1.5A IGT:100NA to 3A RL:12,30,100Ω, EXT (Initial IAK set by RL) |
1µA .10V |
1%+2µA 1%+.10V |
LATCH |
IL (Tested indirectly, no exact value) |
VD:5V to 49.9V |
IL:100µA to 3A IGT:100NA to 3A RL:12,30,100Ω,EXT |
N/A | N/A |
BREAKOVER |
VBO, IBO (SSOVP) VBO, IBO (STS, DIAC) VBO, IBO (SIDAC) VS, IS (SBS, STS) |
0.10to400V1 0.10to20V (80V)3 0.10to400V1 0.10to20V (80V)3 |
10mAto900mA 1μAto200μA 1μAto1mA 1μAto200μA |
1mV |
1%+100mV 1%+10mV 1%+100mV |
*精度规格是读数中±1位数字的补充
1.2000V高压(阳极/集电极)选项
2.低电流甲板选项-还增加了可编程浸泡时间,从1毫秒到99秒。对于小于1μA的电流(5000E上不可用)
3.80V低电压源(门/基)选项
4.500安培高电流甲板选项(5000E上不可用)
5.前面板端子处的电压;允许引入电缆
6.可选100V高压电源
7.40A Lo Soure选件
8.高电平或适配器:1%+2NA+40PA/V
高压选项
HVA-2000 | 2000V阳极/集电极选件(需要工厂安装) |
HVG-80 | 80V栅极/基极选件,建议用于高栅极电压MOSFET(需要工厂安装) |
AUX-150 | 用于脉冲复位试验和10x1000μS的辅助150V电源 |
高电流选项
HC-100 | 100A 大型机 |
HC-1.5/400 | 1.5A 大电流选项(IBO为400V) |
LO-40 | 将低电源扩展至40A(仅80V栅极) |
扫描仪选项
扫描仪需要处理器板和电缆或个性化夹具ADP-401A-8 | 8针全可编程扫描仪,30A,1200V |
ADP-401A-16 | 16针全可编程扫描仪,30A,1200V |
软件选项
SW-MAP | 晶片映射选项(包括软件/固件)料仓、分拣或测试结果的映射需要探测器通过RS-232提供X-Y坐标 |
SW-HIREL | Hi-Rel软件选项(增量百分比测试,包括具有重新测试功能的在线增量测试) |
SW-CURVE | 自动生成曲线跟踪(将曲线跟踪添加到任何系统,包括5000C) |
THRML-VBE | 用于热晶体管测试的VBE;可编程为10A、50V、50MS;需要硬件 |
DUAL-VBE | 差分VBE匹配;需要扫描仪/硬件 |
设备适配器选项
ADP-310 | 光耦适配器(需要光电测试夹具)(参见光电测试夹具) |
ADP-320 | 调节器(3端子)适配器,(需要测试夹具)(参见测试夹具) |
ADP-350 | uadrac/Diac测试适配器(需要测试夹具)(推荐HVG-80) |
ADP-360 |
测试适配器:1.瞬态浪涌装置(SSOVP) 2.Sidacs 3.DIAC(需要HVA-2000) |
ADP-370 | 8针Dip光电逻辑器件适配器 |
ADP-380 | 开尔文适配器(接受标准测试夹具) |
ADP-390 |
继电器测试适配器 (RCOIL、VOPER、VREL、RCONT、OPTIME、RELTIME) |
ADP-506 | 锁紧负载箱,用于精确锁紧测量 |
ADP-508 | 用于5引线设备的适配器,电流检测为10MA和开尔文引脚,也称为六角检测 |
ADP-ICEV | 香蕉插头电阻帽 |
试验夹具-自检
ST-100 | 5000系列的自检夹具(包括购买新测试仪) |
ST-200 | 弱电甲板的自检夹具(包括购买新的弱电甲板) |
ST-300 | 多路复用器自检夹具(包括购买新多路复用器) |
ST-345 | ADP-340-5或ADP-340-5-G的自检夹具(包括购买新的ADP-340-5) |
ST-601 | ADP401A的自检夹具(包括购买新的ADP-401A) |
测试夹具-分立/表面安装
可用的驱动和传感用EW/KELVIN双触点FXK-220 |
TO-220/218(A型阳极中心销)(G型栅极中心销) 对于未列出的任何分立或表面安装设备测试夹具,请咨询银飞电子。如果插座可用,STI可根据用户的要求制作夹具。 |
FX-UW | 用于通用销连接的任何固定装置(需要FX-CAB-UW) |
FX-CAB-UW | 通用有线固定装置通用有线固定装置电缆 |
测试夹具-个性化
适用于可编程扫描仪ADP-401和ADP401AFX-8P-BLNK | ADP-401A-8的8P空白试验夹具 |
FX-16P-BLNK | ADP-401A-8用16P空白试验夹具 |
FX-8P | ADP-401A-8的2至8针测试夹具(任何可用的2至8针插座) |
FX-16P | ADP-401A-16的2至16针测试夹具(任何可用的2至16针插座) |
FX-VCC | 将引脚可分配VCC和逻辑1和0添加到FX-8P、FX-16P |
电缆选项
建议与处理器/探头一起使用的设备电缆和控制电缆HAC-100 | 9针零调制解调器电缆 |
HCB-125 | LC-1000控制电缆,6’(50p Centronics至50p Centronics) |
HCB-150 | 处理装置电缆,6' |
HCB-200 | 处理器控制电缆,6’(SOT、EOT、Fail、箱子等)(25p D-Sub P至25p D-Sub S) |
HCB-301 | 从测试仪到HCD和适配器的互连电缆 |
HCB-301K | 带开尔文的HCB-301 |
HCB-340-5 | ADP-340-5G 6'用处理器设备电缆 |
HCB-360 | 9p D-Sub插头至插座6'或10'的电缆 |
HCB-401-8 | ADP-401-8扫描仪的处理器设备电缆 |
HCB-401-16 | ADP-401-16扫描仪的处理装置电缆 |
HCB-410 | ADP-410(适配器至未端接导线)的处理器设备电缆 |
HCB-500 | HC-500处理装置电缆6'(200A) |
HCB-502 | 装置用HC阳极和阴极电缆 |
HCB-A615 | 辅助控制电缆(6p圆形P至6p圆形S) |
接口板选项
EXT-200 | 外部控制板,提供SOT测试接收EOT(U1-12)和通过/失败(U1-13),15个继电器驱动器 |
PI-200 | 探针接口卡 |
HI-100 | 处理器接口卡,继电器闭合,16个箱子 |