微纳电容测量挑战之精准测量fF级超低电容
微纳电容测量挑战:精准测量fF级超低电容
简介
典型的半导体电容值通常在pF或nF范围内,这些值可以通过商业上可用的LCR表或电容计进行准确测量。然而,在某些应用中,如测量金属到金属的电容、晶片上的互连电容、MEMS器件(如开关)以及纳米器件端子之间的电容,需要在飞法(fF)或1e-15范围内进行极灵敏的电容测量。没有适当的仪器和测量技术,这些极小的电容值难以被精确测量。解决方案
使用4200A-SCS参数分析仪配备的4215-CVU(CVU),用户能够测量大范围的电容,包括低至1pF以下的电容值。CVU采用独特的电路设计,并由Clarius+软件控制,支持校准和诊断工具,确保测量结果的准确性。结合适当的测量技术,CVU可实现噪声水平极低的电容测量,甚至达到1e-18f级别。测量方法
连接被测器件与被测设备(DUT)的正确连接对于测量灵敏的低电容至关重要。建议使用标配的红色SMA电缆(特征阻抗为100Ω)从CVU连接到DUT。对于双线测量,应将HCUR和HPOT端子连接到BNC三通形成CVH(HI),LCUR和LPOT端子连接到BNC三通形成CVL(LO)。对于四线测量,则将HCUR和HPOT端连接到设备的一端,LPOT和LCUR端连接到另一端。确保所有电缆安装牢固,以减少运动对测量结果的影响。

Clarius+软件配置
在Clarius软件中设置测量包括以下步骤:1. 选择fF电容测量项目:在软件项目库中输入“femtofarad”搜索并选择fF电容测量项目。
2. 配置测试设置:调整测量和定时设置,包括电流测量范围(建议使用1µA范围以减小噪声)、交流驱动电压(推荐使用1V以提高信噪比)和测试频率(约1MHz)。
3. 执行测量:首先测量器件的电容,然后测量开路情况以获取电缆和连接件的电容。通过从器件电容测量值中减去开路测量数据,得到补偿后的电容测量值。